การระดมทุน วันที่ 15 กันยายน 2024 – วันที่ 1 ตุลาคม 2024
เกี่ยวกับการระดมทุน
ค้นหาหนังสือ
หนังสือ
การระดมทุน:
66.8% เพิ่มขึ้น
ลงชื่อเข้าใช้
ลงชื่อเข้าใช้
เพื่อเข้าถึงฟีเจอร์เพิ่มเติม
คำแนะนำส่วนตัว
บอท Telegram
ประวัติการดาวน์โหลด
ส่งไปยังอีเมล หรือ Kindle
จัดการรายการในบุ๊กลิสต์
บันทึกในรายการโปรด
ส่วนตัว
คำร้องขอเพิ่มหนังสือ
น่าสนใจ
Z-Recommend
รายชื่อหนังสือ
ได้รับความนิยมมากที่สุด
หมวดหมู่
การมีส่วนร่วม
บริจาค
รายการที่อัพโหลด
Litera Library
บริจาคหนังสือกระดาษ
เพิ่มหนังสือกระดาษ
Search paper books
จุด LITERA Point ของฉัน
ค้นหาคีย์เวิร์ด
Main
ค้นหาคีย์เวิร์ด
search
1
Анализ потенциальных возможностей использования средств автоматизированного проектирования электронной компонентной базы
ВГЛТА
Коллектив авторов
текст
элементов
сбис
тзч
воздействия
моделирование
тока
проектирования
моделирования
частиц
энергии
ионизации
микросхем
зольников
уровне
систем
элемента
рис
процессов
ачкасов
микросхемы
частицы
сапр
памяти
заряда
космического
функционально
зависимости
назначения
величина
данных
методы
состояние
параметров
смерек
блоки
области
радиационного
одиночных
основе
проверка
сбоев
средства
линии
переключения
событий
стойкости
значения
логического
технологии
ภาษา:
russian
ไฟล์:
PDF, 1.59 MB
แท็กของคุณ:
0
/
0
russian
2
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Таперо К.И.
,
Улимов В.Н.
,
Членов А.М.
заряда
рис
sio2
облучения
напряжения
оксиде
облучении
дозы
энергии
транзисторов
кремния
оксида
электронов
зависимости
частиц
транзистора
излучения
носителей
приборов
эффекты
радиационно
дырок
порогового
результате
накопление
области
типа
значения
лпэ
протонов
определяется
радиационных
тока
рад
влияние
мощности
заряд
ионизирующих
моп
зависимость
накопления
гамма
технологии
утечки
частицы
эффект
воздействии
границы
испытаний
поля
ปี:
2014
ภาษา:
russian
ไฟล์:
PDF, 4.71 MB
แท็กของคุณ:
0
/
0
russian, 2014
3
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения : [монография]
В. Н. Улимов
,
А. М. Членов
,
К. И. Таперо
заряда
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
рис
sio2
облучения
напряжения
оксиде
облучении
дозы
энергии
транзисторов
кремния
оксида
электронов
зависимости
частиц
транзистора
излучения
носителей
приборов
эффекты
радиационно
дырок
порогового
результате
накопление
области
типа
значения
лпэ
протонов
определяется
радиационных
тока
рад
влияние
мощности
заряд
ионизирующих
моп
зависимость
накопления
гамма
технологии
ภาษา:
russian
ไฟล์:
PDF, 5.45 MB
แท็กของคุณ:
0
/
0
russian
1
ติดตาม
ลิงก์นี้
หรือค้นหาบอท "@BotFather" บน Telegram
2
ส่งคำสั่ง /newbot
3
ระบุชื่อสำหรับแชทบอทของคุณ
4
เลือกชื่อผู้ใช้สำหรับบอท
5
คัดลอกข้อความล่าสุดทั้งหมดจาก BotFather แล้ววางที่นี่
×
×